Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1107
RN1107MFV,L3F(CT Hakkında
RN1107MFV,L3F(CT, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri (10kΩ ve 47kΩ) ile birlikte gelir. 50V breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile anahtarlama ve sinyal uygulamalarında kullanılır. 150mW güç dağıtma kapasitesi, 80 minimum DC current gain ve 300mV saturation voltajı ile inverter devreler, darbe üretici devreler ve düşük güç anahtarlaması uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok