Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1106MFV(TL3,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1106
RN1106MFV(TL3,T) Hakkında
RN1106MFV(TL3,T), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum kolektor-emitör gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. İçerisinde entegre olarak 4.7kΩ taban direnci ve 47kΩ emitör-taban direnci bulunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 80 minimum değerinde (10mA, 5V koşullarında) belirtilmiştir. 150mW maksimum güç kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük güç uygulamalarında sinyal anahtarlaması, darbe şekillendirme ve lojik devreler gibi alanlarda kullanılmaktadır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine gerek duymaz, kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok