Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1106MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT Hakkında
RN1106MFV,L3XHF(CT, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, dahili 4.7kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile önceden konfigüre edilmiş durumdadır. 100mA maksimum collector akımı ve 150mW güç tüketimi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. 50V breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile anahtarlama ve lojik uygulamalarında tercih edilir. AEC-Q otoomotiv sertifikasına sahiptir ve sinyal işleme, sürücü devreleri, darbe şekillendirme gibi alanlarda uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok