Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1106
RN1106MFV,L3F(CT Hakkında
RN1106MFV,L3F(CT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistördür. SOT-723 yüzey montajlı kasa içinde sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emitter aralık gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Içsel 4.7kΩ taban direnci ve 47kΩ emitter-taban direnci ile ön beslemeli yapı, basit ve güvenilir anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 300mV maksimum doyum gerilimi ile düşük güç kaybı sağlar. 150mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan bu transistör, dijital lojik devreleri, küçük sinyallerin anahtarlanması, voltaj seviye dönüşümü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok