Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1106MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1106
RN1106MFV,L3F Hakkında
RN1106MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey monte paketi içinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. İçerisinde entegre olan 4.7kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci sayesinde ek biasing bileşenleri gerektirmeden kullanılabilir. 150mW güç tüketimi ve 500nA maksimum cutoff akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. DC akım kazancı (hFE) 80 minimum değerinde (10mA, 5V) belirtilmiştir. Bu transistör anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, lojik seviyeleri yükseltme ve düşük güçlü anahtarlama devreleri gibi kullanımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok