Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- RN1106ACT
RN1106ACT(TPL3) Hakkında
RN1106ACT(TPL3), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-101/SOT-883 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, dahili base ve emitter-base dirençleri (sırasıyla 4.7kΩ ve 47kΩ) ile entegre olarak tasarlanmıştır. 50V maksimum Vce, 80mA maksimum kollektör akımı ve 100mW güç derecelendirmesi ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA'da ve 5V'da minimum 80'dir. Ön beslemeli konfigürasyonu sayesinde basit kontrolle lojik seviye anahtarlamada, sinyal amplifikasyonunda ve kompakt devre tasarımlarında uygulanır. Vce doyum gerilimi 150mV @ 250µA, 5mA'da ölçülmüştür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok