Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1105MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1105
RN1105MFV,L3XHF(CT Hakkında
RN1105MFV,L3XHF(CT, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüksek yoğunluk paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter direnişleri (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) ile doğrudan devre kartına monte edilebilir. 100mA maksimum kolektör akımı, 50V VCEO dağılım gerilimi ve 150mW güç tüketimi kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. AEC-Q otomotiv sertifikasyonuna sahip olması, otomotiv endüstrisindeki sinyal kontrolü, LED sürücüleri ve düşük güçlü anahtarlama devreleri için uygun kılmaktadır. 10mA kolektör akımında minimum 80 hFE kazancı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok