Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1105MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT Hakkında
Toshiba RN1105MFV,L3F(CT, NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. İçerisinde entegre 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci bulunur. 150mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ek biasing bileşenleri gerektirmeden doğrudan sinyal anahtarlaması uygulamalarında kullanılabilir. Düşük akım uygulamaları, lojik seviye anahtarlama, sürücü devreler ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Active durumdaki bu transistör, 500nA maksimum cutoff akımı ile düşük sızıntı özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok