Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1105MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1105
RN1105MFV,L3F Hakkında
RN1105MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistörüdür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. Entegre 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci sayesinde ön yüklenmiş konfigürasyonda kullanılır. 150mW güç tüketim kapasitesi ile sınırlı güç uygulamalarında tercih edilir. Tipik olarak anahtarlama devrelerinde, sinyal işleme uygulamalarında ve lokal kontrolör devrelerinde kullanılan bu transistör, düşük güç tüketimi gerektiren taşınabilir cihazlar ve tüketici elektroniğinde yaygındır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok