Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1104MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Paket/Kılıf
SOT-723
Seri / Aile Numarası
RN1104MFV

RN1104MFV,L3F(CT Hakkında

RN1104MFV, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-723 yüksek yoğunluk paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. Dahili 47kΩ taban ve 47kΩ emitter-taban dirençleri sayesinde ön beslemeli yapı sunarak, düşük girdi empedansı gerektiren uygulamalarda basit devre tasarımı sağlar. 150mW güç sınırlaması ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile lojik seviye uyarlaması, motor sürücüsü, LED kontrolü ve röle tetikleme gibi uygulamalara uygundur. Aktif parça statüsü ile üretim ve tedarik desteği mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package VESM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok