Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1104MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Paket/Kılıf
SOT-723
Seri / Aile Numarası
RN1104

RN1104MFV,L3F Hakkında

Toshiba RN1104MFV,L3F ön beslemeli (pre-biased) NPN transistördür. SOT-723 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, entegre baz dirençleri (2x47kΩ) ile yapılandırılmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı, 50V yıkılma gerilimi ve 150mW güç dağıtımı kapasitesi ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında 80 (minimum) değeridir. Aktif durumdayken Vce doyum gerilimi 300mV'dur. Ön beslemeli tasarımı sayesinde ayrı baz dirençleri gerektirmeden hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Lojik seviyeleri sürüleyen devre tasarımlarında, düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında ve sinyal yönetim devrelerde tercih edilir. Aktif parça statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package VESM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok