Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1103MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, Q1BER=
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1103MFV
RN1103MFV,L3XHF(CT Hakkında
Toshiba RN1103MFV,L3XHF(CT, AEC-Q NPN ön beslemeli transistördür. Entegre 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile doğrudan kullanıma hazır konfigürasyonda tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 150mW güç kapasitesi ve 50V maksimum collector-emitter gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-723 paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv standartlarına uygun (AEC-Q) olup, sinyal işleme, kontrol devreleri ve düşük güç anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 70 minimum hFE değeri ile stabil akım kazancı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok