Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Paket/Kılıf
SOT-723
Seri / Aile Numarası
RN1103

RN1103MFV,L3F(CT Hakkında

RN1103MFV,L3F(CT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. Entegre 22kΩ baz dirençleri sayesinde harici ön beslemeli devreler için uygundur. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılabilir. 70 minimum DC akım kazancı ile sinyalleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Özellikle taşınabilir cihazlar, ses cihazları ve düşük güç kontrol devreleri gibi alan uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package VESM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok