Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1103MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1103
RN1103MFV,L3F Hakkında
RN1103MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum Vce ve 100mA maksimum kollektör akımı ile çalışır. Dahili 22kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde ek biyaslama bileşenlerine gerek duymaksızın devrelerde doğrudan kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 70 değerine sahiptir. 150mW güç tüketimi limiti ile düşük güçlü uygulamalarda tercih edilir. Sinyal anahtarlaması, lojik seviye dönüştürme ve küçük sinyaller için amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Cep telefonu, tüketici elektronikleri ve taşınabilir cihazlarda yaygın olarak yer alan kompakt tasarımlı bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok