Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1102T5LFT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- RN1102
RN1102T5LFT Hakkında
RN1102T5LFT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-75 SSM paket içinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter direnç ağlarıyla donatılmıştır. 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz transition frekansıyla düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10kΩ baz ve emitter-baz direnç değerleriyle lojik seviyelendirme, anahtarlama ve sürücü devreler gibi sinyal işleme uygulamalarında yer bulur. Maksimum 100mW güç dağılımıyla, taşınabilir cihazlar, IoT sensörleri ve düşük güçlü kontrol devrelerinde tercih edilir. Ön beslemeli yapısı devreye harici biyaslandırma dirençleri eklemeyi kaldırarak PCB alanı tasarımını optimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SSM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok