Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1102MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1102
RN1102MFV,L3XHF(CT Hakkında
RN1102MFV,L3XHF(CT, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli transistördür. Entegre base ve emitter base dirençleri (her biri 10 kΩ) ile sürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 50 V gerilim dayanımı ve 150 mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. SOT-723 paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv uygulamaları için AEC-Q100 sertifikasyonuna tabi tutulmuştur. Çıkış sürücüleri, anahtarlama devreleri ve seviye değiştirme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 50 @ 10mA, 5V koşullarında DC akım kazancı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok