Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1102MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1102MFV
RN1102MFV,L3F Hakkında
RN1102MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V gerilim dayanımına sahiptir. Entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri sayesinde harici biyaslandırma devresi gerektirmez. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 50'dir. Vce doyum gerilimi 300mV'ta 5mA akımda ölçülür. Tüketici elektroniği, sinyal işleme, darbe devrelerinde ve lojik seviye kaydırma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok