Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1101MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1101MFV
RN1101MFV,L3XHF(CT Hakkında
Toshiba RN1101MFV,L3XHF(CT, AEC-Q otomatif sertifikalı NPN ön beslemeli transistördür. İçerisinde 4.7kΩ base ve emitter base dirençleri bulunan entegre yapısı sayesinde harici biasing rezistörlerine gerek duymaz. Maksimum 100mA collector akımı ve 150mW güç tüketimi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. SOT-723 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygun olup, 50V breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, sensör sürücüleri ve lojik seviye dönüştürücülerde tercih edilir. Automotive endüstrisine yönelik tasarımı ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok