Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1101MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1101
RN1101MFV,L3F(CT Hakkında
RN1101MFV,L3F(CT, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüzey montajlı (SMD) paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri ile birlikte gelmektedir. 50V koletör-emitter kırılma gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı özellikleri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 150mW maksimum güç tüketimi ve 30 minimum DC akım kazancı ile sinyal anahtarlaması, lojik seviyesi dönüştürme ve aydınlatma kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Entegre 4.7kΩ baz direnci sayesinde harici ön beslemeli devre tasarımına gerek kalmaz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok