Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1101MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1101
RN1101MFV,L3F Hakkında
RN1101MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 150mW güç tüketimi sınırlaması içerir. İç yapısında 4.7kΩ'luk base ve emitter-base dirençleri bulunmaktadır. SOT-723 Surface Mount paketinde sunulan komponent, düşük güç elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sürücü ve sinyal işleme devreleri tasarlanabilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde bağlantı kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok