Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RMD0A8P20ES9
MOSFET 2 P-CH 20V 800MA SOT363
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- RMD0A8P20ES9
RMD0A8P20ES9 Hakkında
RMD0A8P20ES9, Rectron USA tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 800mA sürekli drenaj akımı sağlar. Rds(on) değeri 4.5V kapı voltajında 500mA'de 1.2Ohm olup, bu özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir. Gate threshold voltajı 250µA'de 1V olarak belirtilmiş, maksimum güç dağılımı 800mW'dır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel ve oto-omotiv uygulamalarında yer bulabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8pC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok