Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RM8205F
MOSFET 2 N-CH 20V 6A SOT23-6
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Seri / Aile Numarası
- RM8205F
RM8205F Hakkında
RM8205F, Rectron USA tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montaj paketi içinde iki adet N-kanal MOSFET barındırır. 20V drain-source voltaj (Vdss) desteği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. Sürekli drain akımı (Id) 6A'ye kadar çıkabilir ve maksimum güç 1.14W'tır. 17mOhm (1A, 4.5V) ile 20mOhm (6A, 4.5V) arasında değişen Rds(on) değerleri sunmaktadır. 1035pF input kapasitansi (Ciss) ve 1.2V gate threshold voltajı ile özellikle düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Batarya yönetim sistemleri, güç denetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve analog sinyal işlemede yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 1A, 4.5V, 20mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok