Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RM6602
MOSFET N&P-CH 30V 3.5/2.7A SOT23
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- RM6602
RM6602 Hakkında
RM6602, Rectron USA tarafından üretilen tümleşik MOSFET dizisidir. N-channel ve P-channel MOSFET transistörleri tek paket içerisinde sunan bu bileşen, 30V Drain-Source gerilimi ile çalışır. N-channel için 3.5A, P-channel için 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi vardır. SOT-23-6 surface mount paketinde sunulan RM6602, düşük RDS(on) değerleri sayesinde enerji verimliliği sağlar. Gate charge 5nC ve input capacitance sırasıyla 210pF ve 199pF değerlerindedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç amplifikatörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V, 199pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok