Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

RM3003S6

MOSFET N&P-CH 30V 3.5/2.7A SOT23

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RM3003S

RM3003S6 Hakkında

RM3003S6, Rectron USA tarafından üretilen dual MOSFET transistöre sahip entegre devredir. N-channel ve P-channel MOSFET'leri SOT-23-6 paketinde birleştirir. 30V Drain-Source gerilim derecesinde çalışarak, 3.5A N-channel ve 2.7A P-channel sürekli drenaj akımı sunmaktadır. Düşük on-direnç değerleri (58mOhm N-channel, 100mOhm P-channel) ve minimal gate charge (5nC) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir işlem yapması nedeniyle otomotiv, endüstriyel kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Kompakt Surface Mount yapısı PCB tasarımında alan tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V, 199pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok