Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RM2520ES6
MOSFET N&P-CH 25/20V SOT23-6
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Seri / Aile Numarası
- RM2520ES6
RM2520ES6 Hakkında
RM2520ES6, Rectron USA tarafından üretilen dual MOSFET (N-Channel ve P-Channel) transistör dizisidir. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, N-Channel için 25V ve P-Channel için 20V maksimum drain-source gerilimi ile çalışır. Maksimum continuous drain akımı 1.1A (N-Ch) ve 800mA (P-Ch) olarak belirtilmiştir. Düşük on-resistance değerleri (1.2Ω ve 600mΩ @ 500mA, 4.5V) sayesinde enerji tasarrufu sağlar. Gate charge değerleri sırasıyla 1.8pC ve 0.6pC @ 4.5V'dir. 800mW maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmış olan bu MOSFET dizisi, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Şarj kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta), 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V, 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8pC @ 4.5V, 0.6pC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V, 30pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok