Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RM2020ES9
MOSFET N&P-CH 20V SOT363
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- RM2020ES9
RM2020ES9 Hakkında
RM2020ES9, Rectron USA tarafından üretilen dual kanal (N-channel ve P-channel) MOSFET transistörüdür. SOT-363 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilim derecelendirilmesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 750-800mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ve düşük gate charge özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygun olup, giyilebilir elektronikler, mobil cihazlar, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA (Ta), 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8pC @ 10V, 750pC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V, 120pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW (Ta), 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, 380mOhm @ 650mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok