Transistörler - IGBT - Tekil
RJP65T54DPM-E0#T2
IGBT TRENCH TO-3FP
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJP65T54DPM
RJP65T54DPM-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP65T54DPM-E0#T2, 650V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip Trench tipi IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 225A pulslu akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 63.5W maksimum dissipasyon gücü ve 1.68V on-state voltajı (15V gate gerilimi, 30A akımda) ile verimli çalışma sağlar. 72nC gate charge ve 35ns/120ns açılış/kapanış gecikmesi hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-3PFM (SC-93-3) paketinde üretilen bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, dc-dc konvertörler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 72 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 63.5 W |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Switching Energy | 330µJ (on), 760µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/120ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok