Transistörler - IGBT - Tekil
RJP65T43DPQ-A0#T2
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJP65T43DPQ
RJP65T43DPQ-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJP65T43DPQ-A0#T2, 650V darbeye dayanıklı Trench tipi IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 150W maksimum güç yönetimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, şalter güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 69nC kapı yükü ve düşük anahtarlama enerjisi (on: 170µJ, off: 130µJ) ile verimli çalışma sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Gate Charge | 69 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 170µJ (on), 130µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok