Transistörler - IGBT - Tekil
RJP65T43DPM-00#T1
ABU / IGBT
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJP65T43DPM
RJP65T43DPM-00#T1 Hakkında
RJP65T43DPM-00#T1, Renesas Electronics tarafından üretilen 650V/40A kapasiteli Trench tipi IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.4V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 70nC ve anahtarlama enerjisi (on/off) sırasıyla 170µJ/110µJ'dir. 175°C çalışma sıcaklığına kadar kullanılabilen bu transistör, endüstriyel sürücüler, UPS sistemleri, ışık denetleyicileri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Gate Charge | 70 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 68.8 W |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 170µJ (on), 110µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/107ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok