Transistörler - IGBT - Tekil

RJP60V0DPM-00#T1

IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJP60V0DPM

RJP60V0DPM-00#T1 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJP60V0DPM-00#T1, 600V kollektör-emiter bozulma gerilimi ile tasarlanmış bir Trench IGBT transistördür. 45A maksimum collector akımı ve 40W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde monte edilen bu bileşen, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanabilir. 75nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir (45ns açılış, 100ns kapanış süresi). Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 2.1V olarak belirlenmiştir. Güç kaynakları, motorlar, solenoid sürücüleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 45 A
Gate Charge 75 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power - Max 40 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C 45ns/100ns
Test Condition 300V, 22A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 22A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok