Transistörler - IGBT - Tekil
RJP60F5DPK-01#T0
IGBT 600V 80A 260.4W
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJP60F5DPK
RJP60F5DPK-01#T0 Hakkında
RJP60F5DPK-01#T0, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V kollektör-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 80A sürekli kollektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, maksimum 260.4W güç yönetebilir. TO-220-3 paketine yerleştirilmiş olan transistör, 15V gate voltajında 40A akımda 1.8V maksimum Vce(on) değerine ulaşır. 74nC gate charge ve 53ns/90ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile hızlı komütasyon sağlar. Güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, inverterler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 74 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260.4 W |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Td (on/off) @ 25°C | 53ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok