Transistörler - IGBT - Tekil

RJP60F0DPM-00#T1

IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJP60F0DPM

RJP60F0DPM-00#T1 Hakkında

Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJP60F0DPM-00#T1, 600V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip bir Trench tipi IGBT transistördür. 50A maksimum kolektör akımı ve 40W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketlemesi ile Through Hole montajı destekler. 15V gate voltajında 25A akımda 1.82V on-state voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. 46ns açılış ve 70ns kapanış gecikme süreleri ile hızlı geçiş karakteristiğine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, invertörler ve diğer yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power - Max 40 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C 46ns/70ns
Test Condition 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok