Transistörler - IGBT - Tekil
RJP60D0DPP-M0#T2
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJP60D0DPP
RJP60D0DPP-M0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP60D0DPP-M0#T2, 600V breakdawn voltajında çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 45A collector akımı ve 35W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. TO-220FL paketinde sunulan bu komponent, 35ns açılış ve 90ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Gate Charge | 45 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 35 W |
| Supplier Device Package | TO-220FL |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/90ns |
| Test Condition | 300V, 22A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 22A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok