Transistörler - IGBT - Tekil

RJP4009ANS-01#Q6

IGBT 400V

Paket/Kılıf
8-VDFN
Seri / Aile Numarası
RJP4009ANS

RJP4009ANS-01#Q6 Hakkında

RJP4009ANS-01#Q6, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen 400V IGBT transistördür. Yüksek akım kapasitesi (150A Icm) ve kompakt 8-VDFN yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 400V collector-emitter gerilim derecelendirmesi ve 1.8W maksimum güç tüketimi özellikleriyle tasarlanmıştır. Düşük Vce(on) değeri enerji kaybını minimize eder. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1.8 W
Supplier Device Package 8-VSON (3x4.4)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 9V @ 2.5V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok