Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

RJM0603JSC-00#13

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

Paket/Kılıf
20-HSOP
Seri / Aile Numarası
RJM0603JSC

RJM0603JSC-00#13 Hakkında

RJM0603JSC-00#13, Renesas Electronics tarafından üretilen 3N/3P-channel MOSFET dizi entegresidir. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile 3-faz köprü uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic level gate kontrolü ile 4.5V sürücü gerilimi yeterlidir. 20mOhm on-direnci (10A, 10V) ve düşük gate charge (43nC) özellikleri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount HSOP pakette sunulan bu bileşen motor kontrolü, şarj cihazları ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında ve 54W güç dissipasyonu ile çalışabilir. Ürün artık üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
FET Type 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Part Status Obsolete
Power - Max 54W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 20-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok