Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RJK0230DPA-00#J5A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- RJK0230DPA
RJK0230DPA-00#J5A Hakkında
RJK0230DPA-00#J5A, Rochester Electronics tarafından üretilen 2 N-Channel (Half Bridge) konfigürasyonlu Power Field-Effect Transistor'dür. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı desteği ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu transistör, düşük kontrol geriliminde çalışabilir. 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. 8-PowerVDFN yüzey montaj paketinde sağlanan bileşen, motorlar, invertörler, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A, 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 15W, 35W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK-D |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok