Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RJK0222DNS-00#J5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- RJK0222DNS
RJK0222DNS-00#J5 Hakkında
RJK0222DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir Power Field-Effect Transistor'dür. 25V Drain to Source geriliminde 14-16A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, logic level gate sürüşü için 4.5V ile çalışmaktadır. 8-WDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, 9.2mΩ Rds(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve 8-10W güç dissipasyon kapasitesiyle, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.2nC gate charge ve 810pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A, 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 8W, 10W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok