Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
RJK0216DPA-00#J53
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-WFDFN
- Seri / Aile Numarası
- RJK0216DPA
RJK0216DPA-00#J53 Hakkında
RJK0216DPA-00#J53, Rochester Electronics tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir power field-effect transistör'dür. Logic level gate sürüşü ile 4.5V çalışmaya uygun olan bu bileşen, 25V Drain to Source geriliminde 15A ile 32A arasında sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 9.2mOhm maksimum On-state direnci ile düşük güç kaybı ve verimli komütasyon özelliği gösterir. 1130pF giriş kapasitansı ve 6.2nC gate yükü karakteristikleri, hızlı anahtarlama uygulamalarında avantaj sağlar. 8-WFDFN (5x6mm) yüzey montajı paketi içerisinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri, güç yönetim devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C'ye kadar güvenli çalışma sıcaklığı, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A, 32A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-WFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10W, 20W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok