Transistörler - IGBT - Tekil
RJH65D27BDPQ-A0#T2
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH65D27BDPQ
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH65D27BDPQ-A0#T2, 650V Trench IGBT transistörtür. 100A maksimum kolektör akımı ve 375W güç sınırlaması ile endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 20ns açılış ve 165ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, güç elektroniği, motor kontrol, invertör devreleri ve kaynak makineleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 175nC olup, Vce(on) típik değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 1.65V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Gate Charge | 175 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 375 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/165ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok