Transistörler - IGBT - Tekil

RJH60V3BDPE-00#J3

IGBT 600V 35A 113W LDPAK

Paket/Kılıf
SC-83
Seri / Aile Numarası
RJH60V3BDPE

RJH60V3BDPE-00#J3 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60V3BDPE-00#J3, 600V breakdown voltajına sahip bir Trench teknolojisi IGBT transistördür. 35A maksimum collector akımı ile 113W güç yönetebilen bu bileşen, surface mount LDPAK (SC-83) paketinde sunulmaktadır. 60nC gate charge ve 25ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 17A akımda 2.2V'dir. 40ns on-time ve 90ns off-time delay ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 300V, 17A, 5Ohm test koşullarında ölçülmüştür. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması, motor kontrolü ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Bileşen kullanım dışı (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda modern alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35 A
Gate Charge 60 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-83
Part Status Obsolete
Power - Max 113 W
Reverse Recovery Time (trr) 25 ns
Supplier Device Package LDPAK
Switching Energy 90µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 40ns/90ns
Test Condition 300V, 17A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok