Transistörler - IGBT - Tekil
RJH60D7BDPQ-E0#T2
IGBT 600V 90A 300W TO-247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH60D7BDPQ
RJH60D7BDPQ-E0#T2 Hakkında
RJH60D7BDPQ-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V/90A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 300W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.2V'dur. 125nC gate charge ve 25ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolörleri, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Gate Charge | 125 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 700µJ (on), 1.4mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 60ns/180ns |
| Test Condition | 300V, 50A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok