Transistörler - IGBT - Tekil

RJH60D5BDPQ-E0#T2

IGBT 600V 75A 200W TO-247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RJH60D5BDPQ

RJH60D5BDPQ-E0#T2 Hakkında

Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH60D5BDPQ-E0#T2, 600V kollektör-emiter ters kırılma voltajına sahip bir Trench IGBT transistördür. 75A maksimum kollektör akımı ve 200W güç dağıtım kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketlemesi endüstriyel uygulamalarda standart monte edilebilirlik sağlar. 2.2V Vce(on) düşük açık voltajı ve 25ns reverse recovery time ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 78nC gate charge ile kontrol devresine düşük yük uygulanır. AC servo sürücüleri, kaynak makinaları, inverterler ve endüstriyel UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 75 A
Gate Charge 78 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 200 W
Reverse Recovery Time (trr) 25 ns
Supplier Device Package TO-247
Switching Energy 400µJ (on), 810µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 50ns/130ns
Test Condition 300V, 37A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok