Transistörler - IGBT - Tekil
RJH60A83RDPD-A0#J2
IGBT 600V 10A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH60A83RD
RJH60A83RDPD-A0#J2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH60A83RDPD-A0#J2, 600V Trench tipi IGBT transistördür. Maksimum collector akımı 20A, test koşullarında (300V, 10A, 5Ω) Vce(on) değeri 2.6V'tur. 19.7nC gate charge ve 51W maksimum güç disipasyonu özelliklerine sahip bu komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 31ns açılış (on) ve 54ns kapanış (off) delay süreleri ile 230µJ on ve 160µJ off switching enerjisi sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu IGBT, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Şu anda üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Gate Charge | 19.7 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 51 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130 ns |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Switching Energy | 230µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 31ns/54ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok