Transistörler - IGBT - Tekil
RJH60A81RDPD-A0#J2
IGBT 600V 5A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH60A81RDPD
RJH60A81RDPD-A0#J2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH60A81RDPD-A0#J2, 600V/5A çalışma kapasitesine sahip bir Trench tipi IGBT transistördür. TO-252 (DPak) kılıfla sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2,4V Vce(on) değeri ve 11nC gate charge karakteristiği ile düşük kayıp işlemi gerçekleştirir. 30ns açılış/40ns kapanış süresi ve 100ns ters kurtarma süresi (trr) yüksek frekansli devrelerde tercih edilebilir kılmaktadır. Maksimum 29,4W güç dağıtabilen bu IGBT, 150°C bağlantı sıcaklığına kadar çalışabilir. Endüstriyel sürücü, UPS ve motor kontrol devrelerinde uygulanmaktadır. Mevcut durumu itibariyle üretim durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Gate Charge | 11 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 29.4 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Switching Energy | 130µJ (on), 60µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/40ns |
| Test Condition | 300V, 5A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok