Transistörler - IGBT - Tekil
RJH60A01RDPD-A0#J2
IGBT 600V 5A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH60A01RDPD
RJH60A01RDPD-A0#J2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60A01RDPD-A0#J2, 600V kesintisiz diyot gerilim ile çalışan bir IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanan bu bileşen, 5A nominal ve 10A maksimum kolektör akımında 2.3V Vce(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 11nC kapı yükü ve 100ns ters kurtarma süresi ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Anahtarlama enerji değerleri açılışta 130µJ, kapanışta 70µJ'dir. 150°C çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve elektrik panosu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Gate Charge | 11 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 29.4 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Switching Energy | 130µJ (on), 70µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/40ns |
| Test Condition | 300V, 5A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok