Transistörler - IGBT - Tekil
RJH1CV7DPQ-E0#T2
IGBT TRENCH 1200V 70A TO247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH1CV7DPQ
RJH1CV7DPQ-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH1CV7DPQ-E0#T2, 1200V Trench tipi IGBT transistördür. 70A maksimum collector akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 320W maksimum güç disipasyonu sağlar. Switching enerjisi on durumunda 3.2mJ, off durumunda 2.5mJ olarak tanımlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Reverse recovery süresi 200ns, gate şarjı 166nC'dir. Vce(on) değeri 15V, 35A test koşullarında 2.3V'tur. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Güncel pazar uygulamalarında yerini daha yeni versiyonlara bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Gate Charge | 166 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 320 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 3.2mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 53ns/185ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok