Transistörler - IGBT - Tekil
RJH1CM5DPQ-E0#T2
IGBT 1200V 30A 245W TO247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH1CM5DPQ
RJH1CM5DPQ-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CM5DPQ-E0#T2, 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. 30A maksimum collector akımı ve 245W güç yönetimi kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreler, fotovoltaik invertörler, enerji dönüştürücüleri ve kaynak makineleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında yer alır. 74nC gate charge ve 40ns/100ns delay time (on/off) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 1.6mJ on-state ve 700µJ off-state switching enerji değerleri, termik tasarımda göz önüne alınması gereken parametrelerdir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmektedir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Gate Charge | 74 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 245 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 1.6mJ (on), 700µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/100ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok