Transistörler - IGBT - Tekil
RJH1CF6RDPQ-80#T2
IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH1CF6RDPQ
RJH1CF6RDPQ-80#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CF6RDPQ-80#T2, 1200V collector-emitter gerilim derecelendirmesine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 55A kolektör akımında çalışabilen bu bileşen, 227.2W güç kapasitesine ve 2.3V on-state voltajına (15V gate geriliminde, 30A akımda) sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, enerji dönüştürme uygulamalarında, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C junction sıcaklığında çalışabilme kapasitesi ile endüstriyel ve ağır tesisat uygulamalarına uygundur. Komponent şu anda üretilmeyen (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 227.2 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok