Transistörler - IGBT - Tekil

RJH1CF5RDPQ-80#T2

IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RJH1CF5RDPQ

RJH1CF5RDPQ-80#T2 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CF5RDPQ-80#T2, 1200V kollektör-emiter diyot gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir IGBT transistördür. 50A maksimum kollektör akımı ve 192.3W maksimum güç yönetim kapasitesi ile, güç elektronikleri alanında endüstriyel sürücü devreleri, konvertörler ve inverter uygulamalarında yer alır. TO-247-3 paket tipinde sunulan komponentin 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 2.4V Vce(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 192.3 W
Supplier Device Package TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok