Transistörler - IGBT - Tekil
RJH1CF4RDPQ-80#T2
IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH1CF4RDPQ
RJH1CF4RDPQ-80#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH1CF4RDPQ-80#T2, 1200V kırılma gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 40A kolektör akımı ve 156.2W güç tüketimi kapasitesi ile doğrusal güç uygulamalarında kullanılır. 2.5V Vce(on) değeri ile belirtilen 20A akımda düşük açık durum kaybı sağlar. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörler, inverterler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alan anahtarlama devrelerinde uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 156.2 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok